功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,Ultra FRFETTM,300 V,38A,120 mΩ,D2PAK

Active

概览

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有卓越的体二极管逆向恢复性能。其 trr 小于 50nsec,逆向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec,而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此,需要 MOSFET 体二极管性能提高的某些应用中,UniFET Ultra FRFET MOSFET 可以消除附加组件,提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • RDS(on) = 120 mΩ (最大值),需 VGS = 10 V、ID = 19 A栅极电荷低(典型值:56nC)
  • 低 Crss(典型值55pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • RoHS Compliant

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDB38N30U

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

产品系列:

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB38N30U

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

300

120

±30

5

38

313

-

-

-

56

2510

24

97

470

55

$1.3598

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.