N 沟道 PowerTrench® MOSFET,100V,30A,24mΩ

添加至我的收藏

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

  • AC-DC商用电源
  • VGS = 10 V且ID = 8.3A时,最大rDS(on) = 24 m
  • VGS = 4.5 V且ID = 6.8 A时,最大rDS(on) = 35 m
  • HBM ESD保护等级> 6 KV典型值(注4)
  • 与其他沟道技术相比,具有极低的Qg和Qgd
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDB86102LZ

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

100

24

N-Channel

Single

±20

3

30

3.1

-

35

-

7.6

959

$0.6936

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :