N 沟道,PowerTrench® MOSFET,200V,1.1A,725mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 1.1A, 200V
  • RDS(on) = 725 mΩ@ VGS = 10 V
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷(典型值8nC)

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC2612

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

200

725

N-Channel

Single

±20

4.5

1.1

1.6

-

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8

234

$0.2577

More Details

FDC2612A

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

10000

F

200

725

N-Channel

Single

20

4.5

1.1

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