FDC5661N

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，60V，4A，60mΩ

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，60V，4A，60mΩ

应用

信息娱乐
便携导航
信息娱乐
其他
传动系
安全和控制
舒适与便捷
人体电子
车辆安全系统
其他车用

特性

R_DS(on) = 47 mO（V_GS = 10 V、I_D = 4.3 A）
V_GS = 4.5V，I_D = 4A时，R_DS(on) = 60mO
Q_g(tot) = 14.5nC （典型值），V_GS = 10V
低米勒电荷
符合 AEC Q101 标准
符合 RoHS 标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC5661N-F085

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

N-Channel

Single

±20

1.6

0.22

14.5

763

$0.2565

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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