P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V 指定,-12V,-6A,26mΩ

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此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • -6 A,-12V
  • RDS(on) = 26 mΩ@ VGS = -4.5 V
  • RDS(on) = 35 mΩ@ VGS = -2.5 V
  • RDS(on) = 53 mΩ@ VGS = -1.8 V
  • 快速开关速度
  • 高功率和高电流处理能力

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC606P

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

-12

-

P-Channel

Single

8

-1.5

-6

1.6

35

26

9

18

1699

$0.3504

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