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Small Signal MOSFETs | FDC6327C
概览
此类 N 和 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- N沟道2.7A，20V。 RDS(on) = 0.08Ω @ VGS = 4.5V，RDS(on) = 0.12Ω @ VGS = 2.5V P沟道-1.6A，-20V。RDS(on) = 0.17Ω @VGS= -4.5V，RDS(on) = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
- P-Channel
-1.6A, -20V
RDS(on) = 0.17Ω @ VGS = -4.5V
RDS(on) = 0.25Ω @ VGS = -2.5V - 开关速度快。
- 低栅极电荷。
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON) 。
- SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
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FDC6327C
Active
Pb
A
H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
Y
Complementary
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
Logic
0
Dual
0
±20
-
8
±1.5
N:2.7 , P: -1.6
0.96
N:120, P:250
N: 80, P: 170
3.7
2.85
315
N: 0.9, P: 0.65
-
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$0.1629
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FDC6327C-F169
Obsolete
Pb
A
H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
N
Complementary
PowerTrench® T1
NA
Small Signal
Logic
0
Dual
0
20
250
-
8
-1.9
0.96
N:120 P:250
N: 80, P: 170
2.85
2.85
325
0.9
-
N: 75, P: 65
N: 35, P: 24
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