N 沟道 PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,20V,6.2A,24mΩ

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此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散,与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比,占位非常小。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • VGS = 4.5V,ID = 6.2A时,最大rDS(on) = 24 mΩ
  • VGS = 2.5V,ID = 5.2A时,最大rDS(on) = 32 mΩ
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷(典型值8nC)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • SuperSOT™-6封装: 小尺寸(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)
  • HBM静电放电保护等级为>2kV,典型值(注3)
  • 采用绿色封装材料生产。
  • 无卤素
  • 符合RoHS标准

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC637BNZ

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

20

-

12

1.5

6.2

1.6

32

24

10

8

670

-

-

-

-

$0.1293

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