方案
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Small Signal MOSFETs | FDC637BNZ
概览
此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件具有出色的功率耗散，与较大的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，占位非常小。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- VGS = 4.5V，ID = 6.2A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 2.5V，ID = 5.2A时，最大rDS(on) = 32 mΩ
- 快速开关速度
- 低栅极电荷（典型值8nC）
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
- HBM静电放电保护等级为>2kV，典型值（注3）
- 采用绿色封装材料生产。
- 无卤素
- 符合RoHS标准
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FDC637BNZ
Active
Pb
A
H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
N
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
Logic
0
Single
0
20
-
12
1.5
6.2
1.6
32
24
10
8
670
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