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Small Signal MOSFETs | FDC638APZ
概览
此 P 沟道MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池供电应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC-DC 转换。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 最大值 rDS(ON)=43 mΩ，条件是 VGS=-4.5 V、ID=-4.5 A
- 最大值 rDS(ON)=68 mΩ，条件是 VGS=-2.5 V、ID=-3.8 A
- 低栅极电荷（典型值8nC）。
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- SuperSOT™ -6 封装：小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）超薄（1 mm 厚）。
- 符合 RoHS 标准
- 采用绿色封装材料生产。
- 无卤素
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FDC638APZ
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Pb
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TSOT-23-6
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P-Channel
PowerTrench® T1
SC-6
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Logic
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