P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-4A,100mΩ

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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-4A,100mΩ

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  • 典型 rDS(on) = 52.5 mΩ (VGS = –4.5 V、ID = –4A)
  • 典型 rDS(on) = 75.3 mΩ (VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A)
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷(6.9nC典型值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • SuperSOTÞ–封装:小尺寸(比标准 SO-8 小 72%);超薄(1 mm 厚)。
  • 符合 RoHS 标准
  • 符合 AEC Q101

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC642P-F085

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Pb

A

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P

TSOT-23-6

1

260

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3000

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P-Channel

Single

8

-1.5

-4

1.2

75.3

52.5

-

6.9

700

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FDC642P-F085P

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3000

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