P 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,-30V,-3.6A,75mΩ

添加至我的收藏

概览

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • -3.6 A,-30 V
  • RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • 低栅极电荷(6.2nC,典型值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC654P

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

-30

75

P-Channel

Single

20

-3

-3.5

1.6

-

125

6

6.2

298

$0.1548

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :