N 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,30 V,6.3 A,25 mΩ

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此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • VGS = 10V,ID = 6.3A时,最大rDS(on) = 25mΩ
  • VGS = 4.5V,ID = 5.5A时,最大rDS(on) = 33mΩ
  • 快速开关
  • 低栅极电荷
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 终端无引线且符合RoHS标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC655BN

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Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

N

30

25

N-Channel

Single

20

3

6.3

1.6

-

33

8

5

470

$0.1395

More Details

FDC655BN-F40

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