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Small Signal MOSFETs | FDC6561AN
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这些 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本 DC/DC 转换的电池供电系统。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 2.5 A, 30 V
- RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.145 Ω @ VGS = 4.5 V
- 极快速开关
- 低栅极电荷（2.1nC，典型值）
- SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
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FDC6561AN
Active
Pb
A
H
P
TSOT-23-6
1
260
REEL
3000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
SC-6
Small Signal
Logic
0
Dual
0
30
Q1=Q2=95
20
3
2.5
0.96
-
Q1=Q2=145
-
2.3
220
-
-
-
-
$0.1985
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