单 P 沟道,逻辑电平,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4A,50mΩ

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此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • VGS = -10 V,ID = -4A时,最大rDS(on) = 50mΩ
  • VGS = -4.5 V,ID = -3.4A时,最大rDS(on) = 75mΩ
  • 低栅极电荷
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC658AP

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

-30

50

P-Channel

Single

25

-3

-4

1.6

-

75

4.9

6

470

$0.18

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