双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET,100 V,1.2 A,350 mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench® 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

  • 配电
  • VGS = 10V,ID = 1.2A时,最大rDS(on) = 350mΩ
  • VGS = 6 V,ID = 0.9 A时,最大rDS(on) = 575mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDC8602

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Y

100

350

N-Channel

Single

±20

4

1.2

0.96

-

-

2.5

0.6

53

$0.5175

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