FDC8602

双 N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100 V，1.2 A，350 mΩ

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CAD模型

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench® 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

应用

配电

特性

V_GS= 10V，I_D = 1.2A时，最大r_DS(on) = 350mΩ
V_GS= 6 V，I_D = 0.9 A时，最大r_DS(on) = 575mΩ
高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
快速开关速度
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDC8602

Active

TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

100

350

N-Channel

Single

±20

1.2

0.96

2.5

0.6

$0.5175

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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