N 沟道,PowerTrench® MOSFET,38A,21mΩ

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此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 38 A,60 V
  • RDS(on) = 0.021 Ω @ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V
  • 低栅极电荷(典型值33 nC)。
  • 开关速度快。
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

60

21

±20

4

38

60

-

-

-

33

1835

7.5

-

210

90

$0.5313

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