FDD770N15A

PowerTrench® MOSFET，N 沟道，150 V，18 A，77 mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

应用

消费型设备
消费电子

特性

R_DS(on) = 61mΩ（典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 12A
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDD770N15A

Active

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

150

N-Channel

Single

±20

56.8

8.4

575

$0.3809

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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