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Small Signal MOSFETs | FDG6321C
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此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- N沟道 0.50 A、25 V、RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V、 RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V。
- P沟道 -0.41 A、-25 V、 RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V、RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
- 超小封装外形SC70-6。
- 极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
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