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High Voltage MOSFETs | FDL100N50F
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UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET® MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- RDS(on) = 43mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A
- 低栅极电荷（典型值 238nC）
- 低 Crss（典型值 64pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 处理能力
- 符合 RoHS 标准
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FDL100N50F
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TO-264-3
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TO-3
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