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Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMA1023PZ
概览
此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中联接时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 最大 rDS(on) = 72 mΩ（VGS = –4.5 V、ID = –3.7 A 时）
- 最大 rDS(on) = 95 mΩ（VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A 时）
- 最大 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = –1.8 V、ID = –2.0 A 时）
- 最大 rDS(on) = 195 mΩ（VGS = –1.5 V、ID = –1.0 A 时）
- 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
- HBM ESD 保护等级>2 kV 典型值
- 符合 RoHS 标准
- 无任何卤代化合物和锑氧化物
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FDMA1023PZ
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Pb
A
H
P
WDFN-6
1
260
REEL
3000
Y
P-Channel
PowerTrench® T1
Power 22
Low-Medium Voltage
Logic
0
Dual
0
-20
-
8
-1
-3.7
1.5
Q1=Q2=95
Q1=Q2=72
3.4
8.6
490
-
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$0.2746
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FDMA1023PZ-F106
Pb
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REEL
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N
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Low-Medium Voltage
Logic
0
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-3.7
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