双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,5.0A,54mΩ

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此器件专门设计为手机和其他超便携应用中双开关要求的单封装解决方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET,且均具有低导通电阻,可实现最低的导电损耗。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能,非常适合线性模式应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • VGS = 4.5 V,ID = 5.0 A时,最大rDS(on) = 54 mΩ
  • 最大rDS(on) = 66 mΩ(VGS = 2.5 V,ID = 4.2 A)
  • VGS = 1.8 V,ID = 2.3 A时,最大rDS(on) = 82 mΩ
  • VGS = 1.5 V,ID = 2.0 A时,最大rDS(on) = 114 mΩ
  • HBM ESD保护等级 = 1.6 kV(注3)
  • 薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  • 符合RoHS标准
  • 无任何卤代化合物和锑氧化物

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMA1024NZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

1

260

REEL

3000

Y

20

-

N-Channel

Dual

8

1

5

1.4

Q1=Q2=66

Q1=Q2=54

4

5.2

375

$0.4503

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