双 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V,-2.9A,90mΩ

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此器件专门设计作为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有两个独立的 P 沟道 MOSFET,且都具有低导通电阻,可实现最低的导电损耗。在典型的共源配置中连接时,可以实现双向电流流动。就其物理尺寸而言,MicroFET 2x2 封装具有出色的热性能,非常适合线性模式应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大rDS(on) = 90 mΩ(VGS = -4.5 V,ID= -2.9 A)
  • 最大rDS(on) = 130 mmΩ (VGS = -2.5 V, ID= -2.6 A)
  • 最大rDS(on) = 170 mmΩ (VGS = -1.8 V, ID= -1.7 A)
  • 最大rDS(on) = 240 mmΩ (VGS = -1.5 V, ID= -1.0 A)
  • 薄型 – 最厚0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  • HBM静电放电保护等级为>2kV(注3)
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMA3023PZ

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-6

1

260

REEL

3000

Y

-30

-

P-Channel

Dual

8

-1

-2.9

1.4

Q1=Q2=130

Q1=Q2=90

3.7

7.9

400

$0.2591

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