FDMA410NZ

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，1.5 V 指定，20V，9.5A，23mΩ

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此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.5 V。

应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

特性

V_GS = 4.5 V，I_D = 9.5 A_{时，Max r}DS(on)
= 23 mΩ
V_GS= 2.5 V，I_D = 8.0 A时，最大r_DS(on) = 29mΩ
V_GS= 1.8 V，I_D = 4.0 A时，最大r_DS(on) = 36mΩ
V_GS= 1.5 V，I_D = 2.0 A时，最大r_DS(on) = 50mΩ
HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
薄型 - 最大0.8 mm - 采用新的MicroFET 2X2 mm封装
不含有卤化合物和氧化锑
符合RoHS标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMA410NZ

Active

WDFN-6

511CZ

260

REEL

3000

N-Channel

Single

9.5

2.4

8.8

815

$0.3215

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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