P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-54A,7.0mΩ

添加至我的收藏

概览

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大 rDS(on) = 7.0 mΩ(VGS = -10 V、ID = -14 A)
  • 最大 rDS(on) = 12.0 mΩ(VGS = -4.5 V、ID = -10 A)
  • 高性能沟槽技术可实现极低的 rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • HBM ESD 能力电平> 4 kV 典型值(注 4)

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC013P030Z

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

N

-30

7

P-Channel

Single

25

-3

-54

30

-

12

-

58

4130

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :