FDMC6679AZ

P 沟道，Power Trench® MOSFET，-30V，-20A，10mΩ

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FDMC6679AZ 适用于最大程度降低负载开关应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on) 以及 ESD 防护。

应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

特性

V_GS = -10 V，I_D = -11.5 A_{时，最大r}DS(on)
= 10 mΩ
V_GS= -4.5 V，I_D = -8.5 A时，最大r_DS(on) = 18mΩ
HBM ESD保护等级典型值为8kV（注3）
为电池应用提供了扩展的VGSS电压范围(-25 V)
高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
高功率和高电流处理能力
终端无引线且符合RoHS标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC6679AZ

Active, Not Rec

WDFN-8

511DH

260

REEL

3000

-30

P-Channel

Single

-3

-20

2985

$0.4713

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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