双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V

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此器件包括了两个 30V N 沟道 MOSFET,采用双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装。该封装针对卓越热性能进行了改善。

  • 笔记本电脑
  • Q1: N沟道
  • VGS = 4.5 V,ID = 11 A时,最大rDS(on) = 11.0mΩ
    Q2: N沟道
  • 终端无引线且符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC7208S

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

30

Q1: 9, Q2: 6.4

N-Channel

Dual

12

3

Q1: 12.0, Q2: 16.0

1.9

-

Q1: 11.0, Q2: 7.5

14

14

1685

$0.6619

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