N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,13.3A,8.5mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • VGS = 10 V,ID = 13.3 A时,最大rDS(on) = 8.5 mΩ
  • VGS = 4.5 V,ID = 10.6 A时,最大rDS(on) = 11.5 mΩ
  • 通态电阻rDS(on)极低的高性能技术
  • 终端是符合RoHS标准的无铅产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC7692

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

30

8.5

N-Channel

Single

20

3

13.3

29

-

11.5

8

10

1260

$0.3157

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