N 沟道,PowerTrench® MOSFET,25V,40A,5.7mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

  • 台式计算机
  • 消费型设备
  • 笔记本电脑
  • 配电
  • EMS
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 17 A时,最大值RDS(on) = 6.0 mΩ
  • 一流的开关性能
  • 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
  • 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃,提高了抗EMI和交叉导通的能力
  • 符合RoHS标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC8588

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

25

5

N-Channel

Single

12

1.8

40

26

-

5.7

3

12

1228

$0.342

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