FDMC86116LZ

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，7.5A，103mΩ

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此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

应用

消费电子

特性

在V_GS = 10 V且I_D = 3.3 A_{时，最大R}DS(on) = 103 mΩ
在V_GS = 4.5 V且I_D = 2.7 A_{时，最大R}DS(on) = 153 mΩ
HBM ESD保护等级>3 KV典型值
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86116LZ

Active

WDFN-8

511DR

260

REEL

3000

100

103

N-Channel

Single

±20

2.2

7.5

153

232

$0.3485

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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