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Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC86116LZ
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 消费电子
- 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时，最大RDS(on) = 103 mΩ
- 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大RDS(on) = 153 mΩ
- HBM ESD保护等级>3 KV典型值
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
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FDMC86116LZ
Active
Pb
A
H
P
WDFN-8
1
260
REEL
3000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
Power 33 (u8FL)
Low-Medium Voltage
Logic
0
Single
0
100
103
±20
2.2
7.5
19
-
153
-
2
232
0.7
23
45
2.4
$0.3485
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