FDMC86116LZ: N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,7.5A,103mΩ

Datasheet: MOSFET – N-Channel, Shielded Gate, POWERTRENCH® 100 V, 7.5 A, 103 mΩ
Rev. 3 (459kB)
产品概览
浏览可靠性数据
查看材料成分
产品更改通知
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
特性
 
  • 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时,最大RDS(on) = 103 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时,最大RDS(on) = 153 mΩ
  • HBM ESD保护等级>3 KV典型值
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 消费电子
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
600W, 10-16V Motor Development Board
STR-10-16V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
600W, 10-16V Motor Development Kit
STR-16-30V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
1kW, 16-30V Motor Development Board
STR-16-30V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
1kW, 16-30V Motor Development board
STR-30-60V-BLDC-MDK-GEVB Active
Pb-free
1kW, 30-60V Motor Development Board
STR-30-60V-BLDC-MDK-GEVK Active
Pb-free
1kW, 30-60V Motor Development Board
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDMC86116LZ Active
Pb-free
Halide free
FDMC86116LZ WDFN-8 511DR 1 260 Tape and Reel 3000 $0.3319
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMC86116LZ  
 $0.3319 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
2.2
7.5
19
-
153
103
-
2
232
WDFN-8
外形
511DR   
之前浏览的产品
清除列表

Your request has been submitted for approval.
Please allow 2-5 business days for a response.
You will receive an email when your request is approved.
Request for this document already exists and is waiting for approval.