N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,7.5A,103mΩ

添加至我的收藏

概览

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

  • 消费电子
  • 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时,最大RDS(on) = 103 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时,最大RDS(on) = 153 mΩ
  • HBM ESD保护等级>3 KV典型值
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86116LZ

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

100

103

N-Channel

Single

±20

2.2

7.5

19

-

153

-

2

232

$0.3485

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :