FDMC8622: N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,16A,56mΩ

Datasheet: FDMC8622CN-D.pdf
Rev. A (465kB)
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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
特性
 
  • 栅极屏蔽 MOSFET 技术
  • VGS = 10 V,ID = 4 A时,rDS(on) = 56 mΩ(最大值)
  • VGS = 6 V,ID = 3 A时,rDS(on)= 100 mΩ(最大值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 终端无引线且符合RoHS标准
应用
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
NCP1095GEVB Active
Pb-free
PoE-PD Interface Controller Evaluation Board, IEEE 802.3bt
FutureElectronics (2020-08-19) : 1
Availability & Samples
Specifications
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDMC8622 Active
Pb-free
Halide free
FDMC8622 WDFN-8 511DQ 1 260 Tape and Reel 3000 $0.3587
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMC8622  
 $0.3587 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
100
±20
4
16
31
-
-
56
-
3
3
302
WDFN-8
外形
511DQ   
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