150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET

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这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

  • DC-DC商用电源
  • 扩展额定 TJ 至 175°C
  • 最大值 rDS(on) = 34 mΩ(VGS = 10 V, ID = 5.4 A
    时)
  • 最大值 rDS(on) = 44 mΩ(在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A
    时)
  • 通态电阻 rDS(on)
    极低的高性能技术
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 终端为无铅产品
  • 符合 RoHS 标准
    "

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86260ET150

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

150

34

N-Channel

Single

±20

4

25

65

-

-

-

9.7

1000

$0.8685

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