P 沟道 PowerTrench® MOSFET -150 V,-2 A,307 mΩ

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此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,并优化提供出色的开关性能。

  • Industrial
  • Portable and Wireless
  • 最大 rDS(on) = 307 mΩ(VGS = -10 V、ID = -2 A
  • 最大 rDS(on) = 356 mΩ(VGS = -6 V、ID = -1.8 A
  • 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低,非常适用于 Qg 较低的情况
  • 已针对快速开关应用以及负载开关应用优化
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合RoHS标准

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86262P

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

Y

-150

307

P-Channel

Single

±25

-4

-2

40

-

-

-

5.6

632

$0.4242

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