N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

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N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻,却仍保持卓越的开关性能。

  • DC-DC商用电源
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18 A
  • 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 15 A
  • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
  • 终端为无铅产品
  • 符合 RoHS 标准
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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86570LET60

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

60

4.3

N-Channel

Single

±20

3

87

65

-

6.5

-

29

4790

$1.1275

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