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Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMC86570LET60
概览
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
- DC-DC商用电源
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A
） - 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A
） - 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端为无铅产品
- 符合 RoHS 标准
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FDMC86570LET60
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Pb
A
H
P
PQFN-8
1
260
REEL
3000
Y
N-Channel
PowerTrench® T6
Power 33 (u8FL)
Low-Medium Voltage
Logic
0
Single
0
60
4.3
±20
3
87
65
-
6.5
-
29
4790
6.3
26
821
19
$1.1275
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