双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,103A,2.6mΩ

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此器件在一个双 Power (3.3 mm X 5 mm) 封装中包括了两个 40V N 沟道 MOSFET。针对半桥/全桥内部连接的 HS 源和 LS 漏极,低源电感封装,低 rDS(on) / Qg FOM 硅。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • TJ 额定值扩展至 175°C
  • 最大 rDS(on) = 2.6 mΩ(VGS = 10 V、ID = 23 A
  • 最大 rDS(on) = 3.95 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 19 A
  • 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMD8240LET40

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Lifetime

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-12

1

260

REEL

3000

N

40

Q1=Q2=2.6

N-Channel

Dual

±20

3

103

50

-

Q1=Q2=3.95

-

21

3020

$1.0133

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