方案
By Technology
Low/Medium Voltage MOSFETs | FDME1034CZT
概览
此器件专门设计为手机和其他移动应用中 DC/DC 开关 MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行高频控制。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- Q1： N沟道
- 最大值 RDS(on) = 160mΩ（VGS = 1.5V，ID = 2.1A
）Q2： P沟道 - 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 无卤素化合物和锑氧化物
- HBM ESD保护电平>1600V（参考数据表3）
- 符合RoHS标准
搜寻
Close Search
产品:
1
分享
排序方式
产品系列:
┗
可订购器件:
1
产品
FDME1034CZT
Active
Pb
A
H
P
UDFN-6
1
260
REEL
5000
Y
Complementary
PowerTrench® T1
Power 22
Low-Medium Voltage
Logic
0
Dual
0
±20
-
8
±1
N: 2.8, P: -2.6
1.4
N:86, P: 213
N: 66, P: 142
-
5.5
305
-
-
-
-
$0.1996
More Details
Show More
1-25 of 25
Products per page
Jump to :
1
Support on the go
Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.
Contact Sales
