FDMQ8203: 双 N 沟道和双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,GreenBridge™ 系列高效桥式整流器

Datasheet: FDMQ8203-D.PDF
Rev. 3 (387kB)
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与二极管桥相比,此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
特性
 
  • Q1/Q4: N 沟道
  • PD解决方案大幅提升效益
  • VGS = 6 V,ID = 2.4 A时,最大rDS(on) = 175mΩ
    Q2/Q3: P沟道
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 中央办公室
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FDMQ8203 Active
Pb-free
Halide free
FDMQ8203 WDFN-12 511CS 1 260 Tape and Reel 3000 $0.5996
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMQ8203  
 $0.5996 
Pb
H
 Active   
Complementary
Dual
±100
±20
Q1,Q4:4.0, Q2,Q3: -3.0
N: 6.0, P: -6.0
Q1: 22, Q2:37
-
-
N: 110, P: 190
-
6.4
Q1/Q4= 158, Q2/Q3: 639
WDFN-12
外形
511CS   
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