N 沟道 PowerTrench® SyncFET™ 30V,49A,2.8mΩ

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FDMS0308AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展进步,可提供最低的 rDS(on),还保持出色的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。

  • 笔记本电脑

  • 最大 rDS(on)=2.8 mΩ(VGS=10 V、ID=24 A
  • 最大 rDS(on)=3.5 mΩ(VGS=4.5 V、ID=21 A
    )■
  • 低rDS(on)和高效
    的高级硅封装
  • SyncFET 肖特基体二极管
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS0308AS

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

30

2.8

20

3

49

50

-

3.5

13

16

2255

-

-

-

-

$0.334

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