30V N沟道PowerTrench® MOSFET

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此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

  • 消费电子
  • VGS = -10 V,ID = -30 A时,最大值rDS(on) = 1.8 m
  • VGS = 4.5 V且ID = 26 A时,最大rDS(on) = 2.4 m
  • 先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
  • 新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8018

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

30

1.8

N-Channel

Single

20

3

175

83

-

2.4

20

28

3935

$0.657

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