N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,76A,3.1mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC-DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

  • 消费电子
  • 最大值 RDS(on) = 3.1 mΩ(VGS = 10 V, ID = 22 A
    时)
  • 最大值 RDS(on) = 4.3 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 19 A
    时)
  • 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
  • 下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8333L

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

40

3.1

N-Channel

Single

±20

3

76

69

-

4.3

-

46

3245

$0.481

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