FDMS86101DC

N 沟道，双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET，100V，60A，7.5mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool™ 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

应用

DC-DC商用电源

特性

栅极屏蔽 MOSFET 技术
Dual Cool™顶侧冷却PQFN封装
V_GS = 10 V，I_D = 14.5 A_{时，Max r}DS(on)
= 7.5 mΩ
V_GS= 6 V，I_D = 11.5 A时，最大r_DS(on) = 12mΩ
通态电阻 r_DS(on)
极低的高性能技术
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86101DC

Active

DFN-8

506EG

260

REEL

3000

100

7.5

N-Channel

Single

±20

125

2354

$1.8001

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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