N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,151A,3.2mΩ

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此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能,以及业内最佳的软体二极管。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on) = 3.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 67 A
  • 最大 rDS(on) = 7.9 mΩ(VGS = 6 V、ID = 33 A
  • 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
  • 降低了开关噪声/EMI
  • MSL1 强健封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86180

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

100

3.2

N-Channel

Single

4

4

151

138

-

-

-

38

4439

$2.2655

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