N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,120V,64A,7.2mΩ

添加至我的收藏

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on)= 7.2 mΩ(VGS = 10 V、ID= 13.5 A
  • 最大 rDS(on)= 10.3 mΩ(VGS = 6 V、ID= 11.5 A
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现低 rDS(on)和高效率
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86202

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

120

7.2

N-Channel

Single

±20

4

64

156

-

-

-

29

3195

$1.7663

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :