FDMS86252L

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，150V，12A，56mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

应用

This product is general usage and suitable for many different applications

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
最大r_DS(on) = 56 mΩ（V_GS = 10 V，I_D = 4.4 A）
最大r_DS(on) = 71 mΩ（V_GS= 6 V，I_D = 3.8 A）
最大r_DS(on) = 75 mΩ（V_GS = 4.5 V，I_D= 3.7 A）
￭
低r_DS(on)和高效
的高级硅封装
下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
MSL1 耐用封装设计
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86252L

Active

PQFN-8

483AE

260

REEL

3000

150

N-Channel

Single

±20

7.6

952

$0.7837

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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