N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,150V,12A,56mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的,该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化,可最大程度降低导通电阻,同时可保持卓越的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications
  • • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大rDS(on) = 56 mΩ(VGS = 10 V,ID = 4.4 A)
  • 最大rDS(on) = 71 mΩ(VGS = 6 V,ID = 3.8 A)
  • 最大rDS(on) = 75 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 3.7 A)
  • 低rDS(on)和高效
    的高级硅封装
  • 下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86252L

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

150

56

N-Channel

Single

±20

3

12

50

-

75

-

7.6

952

$0.7837

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