N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,50A,4.8mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

  • DC-DC商用电源

  • VGS = 10V,ID = 17A时,最大rDS(on) = 4.8mΩ
  • VGS = 8 V,ID = 14 A时,最大rDS(on) = 6.7mΩ
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
  • 新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86310

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

80

4.8

±20

4.5

50

96

-

-

-

55

4730

14

87

693

19

$0.9718

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