FDN86501LZ

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，60 V，2.6 A，116 mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

应用

Primary DC-DC Switch
Load Switch

特性

屏蔽栅极 MOSFET 技术
最大 r_DS(on)= 116 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 2.6 A
）
最大 r_DS(on)= 170 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 2.1 A
）
高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
快速开关速度
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDN86501LZ

Active

SOT-23-3

527AG

260

REEL

3000

116

N-Channel

Single

±20

2.4

2.6

1.5

173

1.9

236

$0.7705

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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