N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,195A,3.1mΩ

添加至我的收藏

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • AC-DC商用电源-台式计算机
  • 电动自行车
  • 工业级电机
  • 其他数据处理
  • Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
  • Battery Protection Circuit
  • Motor Drives
  • Uninterruptible Power Supplies
  • Renewable System
  • RDS(on) = 2.67mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 100A
  • 低 FOM RDS(on)*QG
  • 低反向恢复电荷,Qrr = 78nC
  • 反向恢复软体二极管
  • 使能高效同步整流
  • 快速开关速度
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDP030N06B-F102

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

60

3.1

N-Channel

Single

±20

4

195

205

-

-

-

76

6035

$0.9258

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :