功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,22 A,220 mΩ,TO-220

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UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻,同时可提供出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外,内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 能够承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。此器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • PDP TV
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supplies
  • AC-DC Power Supplies

  • RDS(on) = 185mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 11A
  • 低栅极电荷(典型值 49nC)
  • 低 Crss(典型值 24pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDP22N50N

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

220

±30

5

22

312.5

-

-

-

49

2456

19

6500

351

24

$1.5823

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