30 V 不对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET

Active

概览

此器件采用一个双封装,其中包含两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET™ (Q2) 可提供最佳功率效率。

  • 配电
  • 其他有线通信
  • Computing
  • Communications
  • General Purpose Point of Load

  • Q1: N沟道
  • VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 9.6mΩ
    Q2: N沟道
  • VGS = 4.5 V,ID = 22 A时,最大rDS(on) = 2.7mΩ
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDPC8013S

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

产品系列:

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDPC8013S

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 33 (u8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

30

Q1: 6.4, Q2: 1.9

20

3

Q1:13.0 Q2: 26.0

Q1: 1.6, Q2: 2.0

-

Q1: 9.6, Q2: 2.7

43

21

2785

-

-

-

-

$0.6587

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.