功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,600 V,12 A,650 mΩ,TO-220F

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UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻,同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外,内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • LCD / LED / PDP TV
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supplies
  • RDS(on) = 530mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 6A栅极电荷低(典型值:26nC)
  • 低 Crss(典型值12pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
  • RoHS compliant

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDPF12N60NZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3 FullPak

NA

0

TUBE

1000

Y

600

650

N-Channel

Single

±25

5

12

39

-

-

-

26

1260

$1.0246

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