P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-8.8A,20mΩ

添加至我的收藏

概览

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大rDS(on) = 20mΩ(VGS = –10V且ID = –8.8A时)
  • 最大rDS(on) = 35mΩ(VGS = –4.5V且ID = –6.7A时)
  • 扩展了VGSS范围(-25V),适合电池应用
  • HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值(注3)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 终端是符合RoHS标准的无铅产品

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS4435BZ

Loading...

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

-30

20

P-Channel

Single

25

-3

-8.8

2.5

-

35

86

16

1385

$0.2405

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :