双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,- 30V,-7A,23mΩ

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此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Power Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • -7A, -30V
  • RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = -10V
  • RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5V
  • 低栅极电荷(15nC,典型值)
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS4935A

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

-30

Q1=Q2=23

P-Channel

Dual

20

-3

-7

1.6

-

Q1=Q2=35

-

15

1233

$0.3992

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